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电子学系前沿学术论坛第九期成功举办

发布时间:2021-06-07

信息来源:电子学系

2021年6月4日下午,电子学系前沿学术论坛第九期在北京大学理科二号楼2736报告厅顺利举行。本期论坛邀请到中国电子科技集团公司工艺制造领域首席科学家、砷化镓微波毫米波单片和模块电路国防科技重点实验室主任陈堂胜研究员作主题为“大功率与超高频GaN微波功率器件”的学术报告。讲座由刘洪刚研究员主持,50余名师生到场聆听了报告。

讲座伊始,陈堂胜研究员首先介绍了GaN微波功率器件的发展现状及其在军民领域的广泛应用。他结合半导体材料的基本物理特性,简要概括了GaN HEMT-固态微波功率器件的发展方向,以及GaN HEMT技术在高输出功率密度、高输出阻抗、高电压工作等方面具备的性能优势。陈堂胜研究员提到,目前GaN HEMT功率器件及MMIC已经全面进入工程应用阶段,国内已建立体系性GaN功率器件产品技术,实现了装备应用的自主保障。

陈堂胜研究员

随后,陈堂胜研究员重点针对大功率GaN HEMT技术存在的散热与超高频这两个突出问题进行了详细讲解。由于金刚石材料具有良好的物理特性,如高导热率、高电子、空穴迁移率,金刚石衬底上GaN微波功率器件技术被认为是下一代固态微波功率器件技术的首选。在此基础上,陈堂胜研究员为大家讲解了几种GaN与金刚石衬底的集成的方式,包括金刚石衬底上外延GaN材料技术、纳米晶金刚石钝化技术、GaN外延层背面生长金刚石技术,以及基于转移技术的金刚石衬底GaN HEMT等。

讲座现场

最后,陈堂胜研究员讲解了高频GaN HEMT及电路方面的相关知识,并结合自己实验室的工作进展和成果,分析了其中的制作工艺和技术难点。

互动交流环节,在座的老师、同学们带着自己的疑问,积极主动与陈堂胜研究员进行了广泛而深入的交流讨论,针对“GaN的欧姆接触”、“金刚石的成本考虑”等问题,陈堂胜研究员深入浅出、耐心细致地给予了解答。

提问环节

活动的最后,电子学系系主任彭练矛院士为陈堂胜研究员颁发本次活动的纪念证书并合影留念。本期讲座在热烈的掌声中圆满结束。

陈堂胜研究员(左一)和彭练矛院士(右一)